斥資近1000億日元三菱電機將建8英寸SiC晶圓廠
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本報訊 近日，三菱電機宣布，將在截至2026年3月的5年內將之前宣布的投資計劃翻一番，達到約2600億日元（約合133億元人民幣），主要用于建設新的晶圓廠，以增加碳化硅功率半導體的產量。據悉，三菱電機2026年度SiC晶圓產能預計將擴增至2022年度的約5倍水平。
根據該計劃，三菱電機預計將應對電動汽車對SiC功率半導體快速增長的需求，并擴大新應用市場。
據透露，新增投資的主要部分約1000億日元，將用于建設新的8英寸SiC晶圓廠并加強相關生產設施。新工廠落址日本熊本縣，將生產大直徑8英寸SiC晶圓，引入具有最先進能源效率和高水平自動化生產效率的潔凈室。據悉，新廠房將于2026年4月投產。
此外，三菱電機還將加強其位于該縣合志市工廠的6英寸SiC晶圓的生產設施，擴增產能以滿足該領域不斷增長的需求。
半導體制造工程可大致分為在硅晶圓上形成電路的“前端制程”和進行組裝、封測等的“后端制程”，三菱電機上述位于熊本縣的2座工廠均專注于“前端制程”。在“后端制程”部分，三菱電機計劃投資約100億日元在Power Device Manufacturer（位于福岡市）內興建新廠房。該工廠將整合目前分散在福岡地區的現有業務，用于功率半導體的組裝和檢查。集設計、開發、生產技術驗證于一體，將大大提升公司的開發能力，便于及時量產以響應市場需求。
多年來，三菱電機在家電、工業設備和軌道車輛等領域引領SiC功率模塊市場，包括全球首款空調和高鐵SiC功率模塊。（凌 文）
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