DRAM內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可少的一部分，大家想過一個問題沒有?全球的內(nèi)存容量總共有多少?這個問題沒有完整統(tǒng)計可供查驗，不過三星公布了一
DRAM內(nèi)存是現(xiàn)代電子產(chǎn)品不可少的一部分，大家想過一個問題沒有?全球的內(nèi)存容量總共有多少?這個問題沒有完整統(tǒng)計可供查驗，不過三星公布了一個數(shù)據(jù)，他們40年來生產(chǎn)了1萬億GB的內(nèi)存。
在日前的技術論壇會議上，三星公布了旗下半導體業(yè)務在各個領域的進展，邏輯芯片方面還會有新的4nm HPC、4nm LPA、3nm GAP+及2nm、1.4nm工藝等，其中2027年計劃量產(chǎn)1.4nm工藝。
DRAM內(nèi)存芯片中，三星之前推出了四代10nm級內(nèi)存工藝，最新的是第五代的1b工藝，還在開發(fā)中，計劃在2023年量產(chǎn)，會用上High-K之類的新材料。
各種內(nèi)存芯片中，三星還在開發(fā)大容量的32Gb DDR5芯片，8.5Gbps的LPDDR5X移動內(nèi)存，顯存中也有全新的32Gbps GDDR7芯片，性能、容量及能效上更有優(yōu)勢。
三星還公布了一個有趣的數(shù)據(jù)，那就是三星電子在過去40年中一共生產(chǎn)了1萬億GB容量的內(nèi)存芯片。
1萬億GB有多少?按照現(xiàn)在主流容量8-16GB之后取平均10GB來算，1萬億GB相當于1000億臺設備，這是過去40年中的總數(shù)，包括手機、電腦及各種電子設備。
當然，這40年中跨度很大，早期內(nèi)存容量都是KB來算的，現(xiàn)在完全可以忽略不記，三星也提到這1萬億GB中的一半容量都是最近三年生產(chǎn)的，可以說最近三年就抵得上過去三十多年的累計容量，可見變化之大。
