與臺積電、三星相比，Intel這幾年在半導體工藝上落后跟EUV工藝量產有關，Intel之前認為EUV不成熟，并不急著上馬EUV光刻機，結果被臺積電三
與臺積電、三星相比，Intel這幾年在半導體工藝上落后跟EUV工藝量產有關，Intel之前認為EUV不成熟，并不急著上馬EUV光刻機，結果被臺積電三星反超，Intel會在今年下半年的Intel 4工藝上使用EUV光刻機。
Intel在當前的EUV光刻工藝上吃虧了，但是接下來他們追趕的步伐可要加快了，Intel把賭注押在了新一代High NA EUV光刻機上，NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.55，該數字越大，EUV光刻機的分辨率越高，適合3nm以內的先進工藝。
ASML的新一代EUV光刻機型號為EXE:5200，Intel這次會成為首發用戶，搶下了第一臺0.55 NA的EUV光刻機，而且首批6臺中Intel也占了大頭，臺積電三星會慢一波。
升級到NA 0.55的EUV光刻機技術難度也更大，光是價格就翻了一兩倍，相比目前1.4億美元一臺的價格，新一代EUV光刻機的價格要4億美元左右，約合人民幣26億元了。
盡管如此，Intel還是會大力推進0.55 NA的EUV光刻機，高管Mark Phillips最近在一次會議上透露了Intel的路線圖，他們正在跟ASML合作，預計在2023年底到2024年初在美國俄勒岡州的工廠安裝，2025年正式量產。
Intel的芯片工藝路線圖中，最先進的還是18A工藝，不過2024年就要量產了，而且這一代使用的還是當前的EUV光刻機，0.55 NA的光刻機會用于再下一代的新工藝。
這個新工藝目前還沒消息，不過按照工藝演進，應該也是1.4nm級別的，估計代號是Intel 14A，對標臺積電的1.4nm工藝。
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